一、升降壓芯片和降壓芯片的設(shè)計(jì)原理
升降壓芯片和降壓芯片是電子電路中常見的兩種電源管理芯片。它們的設(shè)計(jì)原理基于電子元件的基本特性和電路的工作原理。
升降壓芯片,也稱為升降壓轉(zhuǎn)換器或升降壓電源,是一種能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)升壓和降壓功能的電源管理芯片。它通過改變輸入電壓的極性,實(shí)現(xiàn)輸出電壓的升高或降低。升降壓芯片的設(shè)計(jì)原理主要基于開關(guān)電源技術(shù),通過控制開關(guān)管的導(dǎo)通和截止,實(shí)現(xiàn)輸入電壓的斬波和濾波,從而得到所需的輸出電壓。
降壓芯片,也稱為降壓轉(zhuǎn)換器或降壓電源,是一種將輸入電壓降低到所需輸出電壓的電源管理芯片。它的設(shè)計(jì)原理主要基于線性穩(wěn)壓技術(shù)或開關(guān)電源技術(shù)。線性穩(wěn)壓技術(shù)通過調(diào)整電阻和穩(wěn)壓管的參數(shù),使輸出電壓保持穩(wěn)定;而開關(guān)電源技術(shù)則通過控制開關(guān)管的導(dǎo)通和截止,實(shí)現(xiàn)輸入電壓的斬波和濾波,從而得到所需的輸出電壓。
二、升降壓和降壓芯片的適用范圍
升降壓芯片和降壓芯片各有其適用范圍。升降壓芯片適用于需要同時(shí)實(shí)現(xiàn)升壓和降壓功能的場景,如電池供電的便攜式設(shè)備、太陽能電池板供電系統(tǒng)等。它可以在輸入電壓波動較大的情況下,保持輸出電壓的穩(wěn)定。
降壓芯片則適用于將較高電壓降低到較低電壓的場景,如將市電220V降低到電子設(shè)備所需的5V、3.3V等。它在各種電子設(shè)備中都有廣泛應(yīng)用,如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、平板等。
三、升降壓和降壓芯片的應(yīng)用場景
升降壓芯片和降壓芯片在電子電路中有許多應(yīng)用場景。以下是它們的一些典型應(yīng)用:
1. 電池供電設(shè)備:升降壓芯片可用于將電池電壓轉(zhuǎn)換為所需的穩(wěn)定電壓,以滿足設(shè)備的工作需求。例如,在智能手機(jī)中,升降壓芯片可以將鋰電池的3.7V電壓轉(zhuǎn)換為設(shè)備所需的各個(gè)電壓等級。
2. 太陽能電池板供電系統(tǒng):升降壓芯片可用于將太陽能電池板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓,以供系統(tǒng)使用。由于太陽能電池板的輸出電壓受光照條件影響,升降壓芯片能夠在光照條件變化時(shí)保持輸出電壓的穩(wěn)定。
3. LED照明:降壓芯片常用于LED照明領(lǐng)域,將較高的市電電壓降低為LED所需的穩(wěn)定電壓。例如,在家居照明中,降壓芯片可以將220V市電降低為LED燈所需的12V或24V電壓。
四、升降壓和降壓芯片的優(yōu)缺點(diǎn)
升降壓芯片和降壓芯片各有其優(yōu)缺點(diǎn)。以下是它們的一些主要特點(diǎn):
升降壓芯片的優(yōu)點(diǎn):
1. 同時(shí)實(shí)現(xiàn)升壓和降壓功能,適用于輸入電壓波動較大的場景。
2. 可以通過改變輸入電壓的極性實(shí)現(xiàn)輸出電壓的升高或降低,靈活性較高。
升降壓芯片的缺點(diǎn):
1. 由于需要實(shí)現(xiàn)升降壓功能,電路結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜,成本較高。
2. 效率相對較低,因?yàn)樯祲哼^程中會有一定的能量損失。
降壓芯片的優(yōu)點(diǎn):
1. 電路結(jié)構(gòu)簡單,成本較低。
2. 效率較高,能量損失較小。
降壓芯片的缺點(diǎn):
1. 只能實(shí)現(xiàn)降壓功能,適用范圍相對較窄。
2. 在輸入電壓波動較大的情況下,可能無法保證輸出電壓的穩(wěn)定。
綜上所述,升降壓芯片和降壓芯片各有其設(shè)計(jì)原理、適用范圍、應(yīng)用場景和優(yōu)缺點(diǎn)。在選擇使用時(shí),需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求和場景來綜合考慮。
DC-DC 降壓恒壓系列 | ||||||||||
型號 | 封裝 | 輸入電壓范圍 | 輸出電壓范圍 | 輸出電流范圍 | 輸出功率范圍 | 驅(qū)動方式 | 效率 | 工作模式/頻率 | 工作架構(gòu) | 靜態(tài)電流 |
OC5801L | SOP8 | 8~150V | ≤Vi-4V | ≤10A | 120W | 外置MOS | 最大96% | 固定頻率140K | 浮地架構(gòu) | 低至700uA |
OC5806L | ESOP8 | 8~150V | ≤Vi-4V | ≤1.5A | 15W | 內(nèi)置MOS | 最大95% | 固定頻率140K | 浮地架構(gòu) | 低至700uA |
OC5800L | ESOP8 | 8~100V | ≤Vi-4V | ≤2A | 20W | 內(nèi)置MOS | 最大95% | 固定頻率140K | 浮地架構(gòu) | 低至700uA |
OC5802L | ESOP8 | 8~60V | ≤Vi-4V | ≤3A | 25W | 內(nèi)置MOS | 最大95% | 固定頻率140K | 浮地架構(gòu) | 低至700uA |
OC5808L | ESOP8 | 8~100V | ≤Vi-4V | ≤1.5A | 15W | 內(nèi)置MOS | 最大95% | 固定頻率140K | 浮地架構(gòu) | 低至700uA |
OC5862 | ESOP8 | 5.5~60V | ≤Vi-2V | ≤0.8A | 14W | 內(nèi)置MOS | 最大93% | 可調(diào)頻率最大1MHZ | 實(shí)地架構(gòu) | 低至460uA |
OC5864 | SOT23-6 | 5.5~60V | ≤Vi-2V | ≤0.6A | 12W | 內(nèi)置MOS | 最大93% | 固定頻率500KHZ | 實(shí)地架構(gòu) | 低至460uA |
OC5823 | SOP8 | 5.5~60V | ≤Vi-1V | ≤5A | 40W | 外置MOS | 最大95% | 可調(diào)頻率/默認(rèn)140K | 實(shí)地架構(gòu) | 低至220uA |
OC5818 | SOP8 | 5.5~30V | ≤Vi-1V | ≤2.5A | 30W | 內(nèi)置MOS | 最大94% | 可調(diào)頻率/默認(rèn)140K | 實(shí)地架構(gòu) | 低至220uA |
OC5820 | SOP8 | 5.5~40V | ≤Vi-1V | ≤2.5A | 30W | 內(nèi)置MOS | 最大94% | 可調(diào)頻率/默認(rèn)140K | 實(shí)地架構(gòu) | 低至220uA |
OC5822 | SOP8 | 5.5~60V | ≤Vi-1V | ≤1.5A | 18W | 內(nèi)置MOS | 最大94% | 可調(diào)頻率/默認(rèn)140K | 實(shí)地架構(gòu) | 低至220uA |
OC5816 | SOT23-6 | 3.5~18V | ≤Vi-0.6V | ≤2.0A | 12W | 內(nèi)置MOS | 最大97% | 固定頻率600K | 實(shí)地架構(gòu) | 低至260uA |
DC-DC 升壓恒壓系列 | ||||||||||
型號 | 封裝 | 輸入電壓范圍 | 輸出電壓范圍 | 輸入電流范圍 | 輸出功率范圍 | 驅(qū)動方式 | 效率 | 工作模式/頻率 | 反饋電壓 | 靜態(tài)電流 |
OC6801B | SOP8 | 5~400V | ≥Vi+1V | ≤8A | 80W | 外置MOS | 最大95% | 固定頻率/頻率可調(diào) | 1V | 低至75uA |
OC6800B | ESOP8 | 5~100V | ≥Vi+1V | ≤2.5A | 20W | 內(nèi)置MOS | 最大95% | 固定頻率/頻率可調(diào) | 1V | 低至75uA |
OC6820 | SOT23-6 | 2.3-18V | ≥Vi+1V | ≤4A | 20W | 內(nèi)置MOS | 最大96% | 固定頻率1.2M | 1V | 低至75uA |
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